2016年第一季度，SSD全球出货量达3077.7万块，相比于2015年Q1季度的2319万片，同比猛增32.7％。SSD正在快速抢占HDD市场份额，HDD出货量也因此出现持续大幅度下滑。
对于闪存颗粒行业来说，2016年也是革命性的一年。随着TLC颗粒、3D-NAND技术的不断完善，3D闪存如一匹势头强劲的“黑马”闯入了闪存市场。
从平面到3D，闪存迈入摩天大楼时代
为提升存储容量，传统平面NAND的制程工艺已从最初的50nm发展到今天的9/10nm，虽然存储密度一再增加，却已基本到达制程工艺的物理极限。
然而3D闪存则不同，它使用了3D NAND立体空间堆叠技术，提供比现有2D闪存更大的存储空间，且（每单位容量）成本比现有2D NAND更低。另一方面，由于3D NAND无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元来增加容量密度，其可靠性和性能也更出色。
目前业内普遍存在的3D NAND堆栈层数已经达到32-48层，厂商们还在持续研发更高层数的堆栈技术。当3D NAND 技术达到100层堆叠时将遇到成本的拐点，因此其成本优化空间非常巨大。而隆易芯也将基于3D NAND技术更新其现有产品。
